日本Air Liquid在線微量氧分析儀在半導(dǎo)體超純電子氣體中ppb氧含量的應(yīng)用
在半導(dǎo)體材料和電子器件的生產(chǎn)中，要使用H、N、O、Ar、he等高純度氣體，氣體的純度嚴(yán)重影響產(chǎn)品質(zhì)量。諸如氫氣、氮?dú)庖约八鼈兯鹘?jīng)的系統(tǒng)中的水和氧氣之類的氣體對硅和III-V族化合物極其有害。在硅外延過程中，當(dāng)氫氣中的含水量達(dá)到100vpm時(shí)，硅外延層就會變成多晶。在MOS LSI的硅柵多晶膜工藝中，如果稀釋氣體中含有微量水分，多晶硅膜會被“氧化硅團(tuán)”夾住，導(dǎo)致刻蝕多晶硅膜時(shí)多晶硅脫落，導(dǎo)致電性能惡化。因此，有必要監(jiān)測和控制流經(jīng)系統(tǒng)的高純氣體和微量氧氣和水。
高純氣體是集成電路、光伏、光纖等行業(yè)的重要基礎(chǔ)材料。在大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)過程中，氣體中的氣態(tài)、液態(tài)和固態(tài)雜質(zhì)會對芯片質(zhì)量產(chǎn)生重要影響。由于氣體中微量氧和水的存在，高溫合成的半導(dǎo)體器件表面容易形成氧化膜，這是影響器件壽命和性能的重要因素。
日本Air Liquid在線微量氧分析儀在半導(dǎo)體超純電子氣體中ppb氧含量的應(yīng)用
例如，外延生長是生產(chǎn)高質(zhì)量集成電路的重要步驟，沉積層的雜質(zhì)水平、厚度和微結(jié)構(gòu)完整性取決于沉積工藝中所用氣體的純度。當(dāng)氣體中雜質(zhì)過多時(shí)，外延層會形成“暗礁”，產(chǎn)生晶格缺陷等后果。因此，在半導(dǎo)體制造過程中，高靈敏度的氣體檢測顯然是必要的。
目前可以將N、Ar、H體積氣體中的雜質(zhì)(包括水分氧氣)控制在1ppb以下。為了進(jìn)一步提高半導(dǎo)體工藝的質(zhì)量，需要提高特殊氣體的純度，特別是降低其中的殘留水分?，F(xiàn)有的特種氣體水分濃度測量裝置主要有電容式、壓電晶體振蕩器式等。但由于特殊氣體的反應(yīng)性、腐蝕性和反應(yīng)產(chǎn)物的累積性，測量裝置的老化變化很明顯。因此，傳感器必須經(jīng)常清潔，并在短時(shí)間內(nèi)重新校準(zhǔn)。特別是傳感器吸水時(shí)，特殊氣體溶解，無法進(jìn)行精密準(zhǔn)確的測量。微量氧分析儀采用的電化學(xué)及庫倫法及赫茲電化學(xué)方法，本文介紹日本液空公司的ppb微量氧分析儀測試精度是0.5ppb,測試范圍0-10ppb,0-10000ppb.它是為了滿足近年來半導(dǎo)體工業(yè)對高純氣體日益增長的需求而開發(fā)的。估計(jì)對半導(dǎo)體、制藥、新陶瓷等行業(yè)的氣體用戶和氣體制造商的質(zhì)量管理會有很大的提升。該分析儀可以測量氮?dú)?、氬氣、氦氣和氫氣中的微量氧氣，?低檢測靈敏度從以前產(chǎn)品的50ppb大大提高到0.5ppb
日本Air Liquid在線微量氧分析儀在半導(dǎo)體超純電子氣體中ppb氧含量的應(yīng)用
半導(dǎo)體芯片在200~350℃的惰性氣體(N2 \氬氣)氣氛中退火。日本液空在線微量氧分析儀分，可測量半導(dǎo)體行業(yè)保護(hù)氣氛中ppb級微量氧含量，精度是0.5ppb.
日本液空在線微量氧分析儀的應(yīng)用:
-半導(dǎo)體高純電氣體
-石化、電力-化學(xué)反應(yīng)分析
-空氣分離中高純氧和微量氧的監(jiān)測-空氣分離和液化
-冶金、半導(dǎo)體、航空航天和**工業(yè)-核燃料處理和同位素分離
-制氫、制氮、凈化和干燥設(shè)備-純氣態(tài)烴的流路監(jiān)控日本Air Liquid在線微量氧分析儀在半導(dǎo)體超純電子氣體中ppb氧含量的應(yīng)用
-可燃液體保護(hù)氣體層的主要液體供給和檢測
-氣態(tài)單體的工藝分析:氯乙烯、丙烯、丁二烯、乙烯、橡膠、叔丁胺等
日本液空ppb在線氧氣分析儀0-10ppb參數(shù):
精度:+-0.5ppb
可選范圍:
0-10ppb,0-10000ppb
更多日本Air Liquid在線微量氧分析儀在半導(dǎo)體超純電子氣體中ppb氧含量的應(yīng)用信息請直接致電埃登威上海公司13482246053。
