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  • 產(chǎn)品資料

    napson電壓激勵法超低電阻計

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    產(chǎn)品名稱: napson電壓激勵法超低電阻計
    產(chǎn)品型號: PVE-80
    產(chǎn)品展商: 其它品牌
    產(chǎn)品文檔: 無相關(guān)文檔

    簡單介紹

    日本napson非接觸脈沖電壓激勵法超低電阻計
    由于是使用脈沖電壓激勵法作為測量原理的非接觸電阻測量系統(tǒng),因此可以在不損壞樣品的情況下進行測量。


    napson電壓激勵法超低電阻計  的詳細介紹

    日本napson非接觸脈沖電壓激勵法超低電阻計


     

    • 節(jié)省空間的設(shè)計主體外殼,便攜式可移動平臺

    • 通過PC(軟件)進行簡單的測量操作,數(shù)據(jù)存儲和管理

    • 測量顯示單元可以根據(jù)應(yīng)用(薄層電阻,電導(dǎo)率,電導(dǎo)率)進行更改

      *本產(chǎn)品使用由我公司與千葉大學(xué)聯(lián)合開發(fā)的脈沖電壓激勵方法(號5386394)。

    測量規(guī)格

    napson電壓激勵法超低電阻計測量目標(biāo)

    與新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)與
    導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
    與化合物半導(dǎo)體相關(guān)(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
    其他(*查詢)請給我)

    測量尺寸

    ?A4尺寸(W300 x D210mm)

    測量范圍

    50μ?1mΩ/平方

    • 節(jié)省空間的設(shè)計主體外殼,便攜式可移動平臺

    • 通過PC(軟件)進行簡單的測量操作,數(shù)據(jù)存儲和管理

    • 測量顯示單元可以根據(jù)應(yīng)用(薄層電阻,電導(dǎo)率,電導(dǎo)率)進行更改

      *本產(chǎn)品使用由我公司與千葉大學(xué)聯(lián)合開發(fā)的脈沖電壓激勵方法(篆隸號5386394)。

    測量規(guī)格napson電壓激勵法超低電阻計

    測量目標(biāo)

    與新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)與
    導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
    與化合物半導(dǎo)體相關(guān)(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
    其他(*查詢)請給我)napson電壓激勵法超低電阻計

    測量尺寸

    ?A4尺寸(W300 x D210mm)

    測量范圍

    50μ?1mΩ/平方

    日本napson非接觸脈沖電壓激勵法超低電阻計

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