日本napson緊湊易用手動(dòng)非接觸電阻測(cè)量儀-
測(cè)量對(duì)象
半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
硅基外延離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
日本napson緊湊易用手動(dòng)非接觸電阻測(cè)量儀其他（*請(qǐng)聯(lián)系我們）
測(cè)量尺寸
?8英寸，或?156x156mm
測(cè)量范圍
[電阻率] 1 m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總量程/ 500 um的厚度）
[抗熱阻] 10 m至3 kΩ/ sq
（*所有探頭類型的總量程）
*日本napson緊湊易用手動(dòng)非接觸電阻測(cè)量儀每種探頭類型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參見下文。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至0.05Ω-cm）
（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ）高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
帶有手持式探頭的手動(dòng)無損（渦流法）電阻測(cè)量儀
產(chǎn)品名稱：EC-80P（便攜式）
產(chǎn)品圖片（可根據(jù)客戶要求進(jìn)行各種定制）
產(chǎn)品特點(diǎn)
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電阻可以通過簡單地接觸手持式探頭來測(cè)量。
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在電阻率/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換
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通過JOG撥盤輕松設(shè)置測(cè)量條件
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可更換的電阻測(cè)量探頭，帶連接器，適用于寬電阻范圍
-
（電阻探頭：多可以使用2 + PN判斷探頭）
測(cè)量規(guī)格
日本napson緊湊易用手動(dòng)非接觸電阻測(cè)量儀測(cè)量對(duì)象
半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
硅基外延離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請(qǐng)聯(lián)系我們）
測(cè)量尺寸
無論樣品的大小和形狀如何，都可以進(jìn)行測(cè)量（但是，大于20mmφ且具有平坦的表面）
測(cè)量范圍
[電阻率] 1m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總量程/當(dāng)厚度為500um時(shí)）
[抗熱阻] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總量程）
*每種探頭類型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參見下文。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ）高：10-1000Ω/□（0.5-60Ω-cm）
（4）S-高：1000-3000Ω/□（60-200Ω-cm）
（5）太陽能晶片：5-500Ω /□（0。 2?15Ω-cm）
傳單
*單擊下面的按鈕下載此產(chǎn)品的傳單。
非接觸式（渦流法）電阻率/薄層電阻測(cè)量儀，可通過個(gè)人計(jì)算機(jī)輕松操作
產(chǎn)品名稱：NC-10（NC-20）
產(chǎn)品圖片（可根據(jù)客戶要求進(jìn)行各種定制）
產(chǎn)品特點(diǎn)
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通過PC節(jié)省空間，易于操作和數(shù)據(jù)處理
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非接觸式渦流方法可實(shí)現(xiàn)無損測(cè)量
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由于探頭是可拆卸和可更換的，因此您可以輕松地為每個(gè)范圍的探頭更換它。
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（***和后續(xù)電阻探頭可選）
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中心1點(diǎn)測(cè)量
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厚度/溫度校正功能（硅晶片）
測(cè)量規(guī)格
測(cè)量對(duì)象
半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
硅基外延離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請(qǐng)聯(lián)系我們）
測(cè)量尺寸
3至8英寸，?156 x 156毫米
（可選; 2英寸或12英寸，?210 x 210毫米）
測(cè)量范圍
[電阻率] 1m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總量程/當(dāng)厚度為500um時(shí)）
[抗熱阻] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總量程）
*每種探頭類型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參見下文。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至0.05Ω-cm）
（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ）高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
DUORES手持式薄層電阻測(cè)量儀（2個(gè)探頭更換用[接觸型和無損測(cè)量探頭]）
產(chǎn)品名稱：DUORES
產(chǎn)品圖片（可根據(jù)客戶要求進(jìn)行各種定制）
產(chǎn)品特點(diǎn)
易于攜帶和測(cè)量的手持式薄層電阻測(cè)量裝置：DUORES
可以根據(jù)測(cè)量目標(biāo)交換和使用兩種類型的探頭（非破壞性/接觸式）
?世界上地衣臺(tái)可以更換和使用兩種類型的探頭（無損型，接觸型）的便捷型薄層電阻測(cè)量儀 ?
只需放置/應(yīng)用探頭即可自動(dòng)進(jìn)行測(cè)量
?電池連續(xù)工作時(shí)間：24小時(shí)（*電池使用時(shí)）
?顯示數(shù)據(jù)項(xiàng)數(shù)：多100（*顯示醉心數(shù)據(jù)）
?保存的大數(shù)據(jù)數(shù)：50,000（*軟件顯示屏）
?測(cè)量數(shù)據(jù)傳輸功能：USB-Mini
?顯示：3個(gè)顯示單位（Ω/□，S /□，n / m [金屬膜厚度轉(zhuǎn)換]）， 4位浮點(diǎn)數(shù)（0.000至9999）
*僅出售身體+非破壞性探針，僅出售身體+接觸探針。
測(cè)量規(guī)格
測(cè)量對(duì)象
薄膜，玻璃，紙材料等
通常，可以在測(cè)量范圍內(nèi)測(cè)量任何樣品。
?薄膜材料（ITO，TCO等）
?低電子玻璃
?碳納米管，石墨烯材料
?金屬材料（納米線，網(wǎng)格，網(wǎng)格）
?其他
測(cè)量尺寸
無論尺寸和厚度如何，都可以進(jìn)行
測(cè)量（*每個(gè)探頭的測(cè)量點(diǎn)尺寸或更多）
<測(cè)量點(diǎn)>
?無損探棒（渦流型）：φ25mm
?接觸探針（4種探針）：9mm
測(cè)量范圍
?無損探棒（渦流方式）：0.5 -200Ω/ sq
?接觸式探棒（4探針方式）：0.1 -4000Ω/ sq
傳單
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非接觸型（脈沖電壓激勵(lì)法）超低電阻量程電阻測(cè)量系統(tǒng)
商品名稱：PVE-80
產(chǎn)品圖片（可根據(jù)客戶要求進(jìn)行各種定制）
產(chǎn)品特點(diǎn)
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非接觸式電阻測(cè)量系統(tǒng)，采用脈沖電壓激勵(lì)方法作為測(cè)量原理，可在不損壞樣品的情況下進(jìn)行測(cè)量
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節(jié)省空間的車身外殼，便攜式可移動(dòng)臺(tái)
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通過PC（軟件）輕松進(jìn)行測(cè)量操作和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)/管理
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測(cè)量顯示單元可以根據(jù)應(yīng)用（薄層電阻，電導(dǎo)率，電導(dǎo)率）進(jìn)行更改
*本產(chǎn)品使用本公司與千葉大學(xué)共同開發(fā)的測(cè)量方法：脈沖電壓激勵(lì)法（篆隸號(hào)5386394）。
測(cè)量規(guī)格
測(cè)量對(duì)象
新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜（金屬，ITO等）
復(fù)合半導(dǎo)體（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*聯(lián)系我們請(qǐng)給我）
測(cè)量尺寸
?A4尺寸（W300 x D210mm）
測(cè)量范圍
50μ?1mΩ/平方
傳單
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日本napson緊湊易用手動(dòng)非接觸電阻測(cè)量儀-
