日本napson階段集成式半自動四探針測量儀
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產(chǎn)品名稱:
日本napson階段集成式半自動四探針測量儀
產(chǎn)品型號:
napson Cresbox
產(chǎn)品展商:
其它品牌
產(chǎn)品文檔:
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簡單介紹
日本napson階段集成式半自動四探針測量儀產(chǎn)品特點用于圓/方測量的可編程測量模式和繪圖軟件自檢功能，測量范圍廣厚度/周邊位置/溫度校正功能（用于硅）薄層電阻/金屬膜厚顯示功能
日本napson階段集成式半自動四探針測量儀 的詳細介紹
日本napson階段集成式半自動四探針測量儀
測量規(guī)格
測量對象
-
與半導體/太陽能電池材料有關（硅，多晶硅，SiC等）
-
新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
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導電薄膜相關（金屬，ITO等）
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擴散樣品硅外延，離子注入樣品
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其他（*請聯(lián)系我們）
日本napson階段集成式半自動四探針測量儀測量尺寸
?8英寸，或?156x156mm
測量范圍
[電阻率（電阻率）] 1 m至300 kΩ·cm
[板電阻] 5 m至10 MΩ/ sq
日本napson階段集成式半自動四探針測量儀傳單
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映射圖像
日本napson階段集成式半自動四探針測量儀高規(guī)格類型的電阻率（比電阻）/薄層電阻半自動四探針法測量儀器
產(chǎn)品名稱：RT-3000 / RG-2000（RG-3000）
產(chǎn)品圖片（可根據(jù)客戶要求進行各種定制）
產(chǎn)品特點
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具有世界醉高電阻測量范圍的4探針測量儀
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用于圓/方測量的可編程測量模式和繪圖軟件
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自檢功能，厚度/周邊位置/溫度校正功能（用于硅）
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根據(jù)電阻范圍從2種類型的測試儀中選擇
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（RT-3000（S）：寬范圍，RT-3000（H）：高電阻范圍）
測量規(guī)格
測量對象
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與半導體/太陽能電池材料有關（硅，多晶硅，SiC等）
-
新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
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導電薄膜相關（金屬，ITO等）
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擴散樣本
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硅基薄膜（LTPS等），IGZO
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硅基外延離子注入樣品
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其他（*請聯(lián)系我們）
測量尺寸
?8英寸，或?156x156mm
?選件（兼容大直徑尺寸：RG-3000型）：?12英寸，?210×210mm
測量范圍
①RT-3000（S）；
[電阻率（電阻率）] 100μ- 1MΩ·cm
[層電阻] 1m-
10MΩ / sq②RT-3000（H）；
[層電阻] 10m-1GΩ/ sq
傳單
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映射圖像
平板（液晶等）電阻率（比電阻）/薄層電阻的半自動測量
商品名稱：RG-100PV
產(chǎn)品圖片（可根據(jù)客戶要求進行各種定制）
產(chǎn)品特點
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用于玻璃基板上薄膜的4探針半自動測量儀
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XY軸機械平臺
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對于平面內(nèi)多點測量，均勻螺距或隨機螺距的可選設置，已安裝2-D / 3-D映射軟件
測量規(guī)格
測量對象
-
與半導體/太陽能電池材料有關（硅，多晶硅，SiC等）
-
新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
-
導電薄膜相關（金屬，ITO等）
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擴散樣品硅薄膜（LTPS等），IGZO
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硅基外延離子注入樣品
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與化合物半導體有關的（GaAs，Epi，GaN，Epi，InP，Ga等）
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其他（*請聯(lián)系我們）
測量尺寸
大300 x 300毫米（可選;大500 x 500毫米）
測量范圍
[電阻率（比電阻）] 1 m至200Ω·cm
[板電阻] 1 m至1,000kΩ/ sq（可選；醉高10 MΩ/ sq）
日本napson階段集成式半自動四探針測量儀
