日本AMAYA天谷制作所株式會(huì)社半導(dǎo)體單晶圓器A200V
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日本AMAYA天谷制作所株式會(huì)社半導(dǎo)體單晶圓器A200V
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日本AMAYA天谷制作所株式會(huì)社半導(dǎo)體單晶圓器A200V采用面朝下法的高性能單晶圓常壓CVD裝置A200V薄膜厚度均勻度在±2%以?xún)?nèi)抑制粒子生成緊湊的設(shè)備配置良好的階躍覆蓋率低溫工藝支持提高可維護(hù)性提高**性特征在這種方法中，晶圓沉積表面被上卡盤(pán)夾住，晶圓朝向底部，工藝氣體從底部的分散頭吹出形成薄膜。 卡盤(pán)提高了晶圓內(nèi)溫度均勻性，并提供出色的厚度均勻性，同時(shí)防止氣體包圍晶圓背面，防止背面沉積并防止
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日本AMAYA天谷制作所株式會(huì)社
半導(dǎo)體單晶圓器A200V
采用面朝下法的高性能單晶圓常壓CVD裝置
A200V
薄膜厚度均勻度在±2%以?xún)?nèi)
抑制粒子生成
緊湊的設(shè)備配置
良好的階躍覆蓋率
特征
性能
| 均勻的薄膜厚度 | ≦±2% |
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| 支持的晶圓尺寸 | ≦8英寸 |
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| 氣體種類(lèi) | SiH4， O 2， PH 3， B 2 H6， N 2（TEOS， TEB， TMOP，O3可選） |
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| 薄膜沉積溫度 | 300°C~450°C |
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| 生產(chǎn)力 | 20張/小時(shí)（500nm成膜） |
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主要規(guī)格
| 設(shè)備尺寸 | 890毫米（寬） x 2300毫米（深） x 2250毫米（高） |
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| 加熱機(jī)構(gòu) | 電阻加熱 |
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| 裝載卸載 | 雙滑塊，機(jī)器人CtoC運(yùn)輸 |
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| 分散頭（氣體噴嘴） | 圈 |
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